2014年中国半带体分立器件展开即兴状

  1、我国半带体分立器件散布匹即兴状

  我国半带体分立器件产业地区散布匹对立集儿子合。按国际半带体分立器件行业销特价而沽尽和比重散布匹,就中长叁角地区占41.3%,京津环渤海湾地区占10%,珠叁角地区占43.2%,其他地区占5.5%。我国消费分立器件的企业首要散布匹在江苏、浙江、广东方、天津等节市,占到全国的76.4%以上。

  2、半带体佩退器件市场规模

  前瞻产业切磋院颁布匹的《2014-2020年中国集儿子成电路行业市场需寻求预测与投资战微规划剖析报告》露示:2009-2013年,中国半带体分立器件产业销特价而沽额逐年下跌,2013年均为最父亲值,条是增快出产即兴摆荡趋势。2010年,2013年,中国半带体分立器件产业销特价而沽额为1135.40亿元,同比增长28.50%,增快为年来过到来的最父亲值。2013年,中国半带体分立器件产业销特价而沽额为1642.50亿元,同比增长18.17%,,增长快度拥有所加以快。

       图表2:2009-2013年中国半带体佩退器行业销特价而沽额变募化趋势图(单位:亿元,%)      材料到来源:国度统计局前瞻产业切磋院整顿理

  图表2:2009-2013年中国半带体佩退器行业销特价而沽额变募化趋势图(单位:亿元,%) 材料到来源:国度统计局前瞻产业切磋院整顿理

  3、分立器件的展开趋势

  雄心证皓,半带体分立器件仍拥有很父亲的展开当空。半带体分立器件畅通日尽是沿着功比值、频比值两个标注的目的展开,展开新的器件即兴实、新的构造,出产即兴各种时新分立器件,推向电儿子信息技术的迅凶展开。

  壹是展开电儿子信息产品急需的高端分立器件,如Si、GaAs微波bbin平台、功比值MOS器件、光电儿子器件、变容管及肖特基二极管等。跟遂即兴实切磋和工艺程度的时时提高,电力电儿子器件在容量和典型等方面违反掉落了很父亲展开,先后出产即兴了从压服父亲电流动的GTO到高频多干用的IGBT、功比值MOSFET等己关断、全控型器件。年来过到来,电力电儿子器件正朝着父亲功比值、压服、高频募化、集儿子成募化、智能募化、骈合募化、模块募化及功比值集儿子成的标注的目的展开,如IGPT、MCT、HVIC等坚硬是此雕刻种展开的产物。

  二是展开以SiGe、SiC、InP、GaN等募化合物半带体材料为基础的时新器件。

  叁是跟踪世界半带体分立器件展开趋势,增强大对纳米器件、超带器件等范畴的切磋。

  四是分立器件查封装技术的展开趋势仍以片式器件为展开标注的目的,以顺应各种电儿子设备小型募化、轻量募化、薄型募化的需寻求。查封装方法的展开,壹是往小型募化标注的目的展开,由日用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的,如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等查封装型式展开;二是片式小型募化往bbin平台标注的目的延伸,从1W功比值的SOT-89壹直到功耗10W的TO-252以及功比值更父亲的父亲功比值查封装,如TO-247、TO-3P等;叁是另壹类则望更父亲尺寸、更父亲体积以满意各类更父亲功比值的时新电力电儿子查封装,如全压接式父亲功比值IGBT及各类模块查封装等。

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